Комплексные решения поставки электронных компонентов

Одномодовые лазерные диоды

Буклет ОЭС Спецпоставка, «Оптика и Фотоника», скачать

Фильтр

Номинальная мощность, мВт

Длина волны, нм


Артикул Длина волны, нм Мощность, мВт Производитель PDF
3CN01174BA 974.5 200 3SP Technologies ...
3CN01174BL 974.5 250 3SP Technologies ...
3CN01174CA 974.5 300 3SP Technologies ...
3CN01174CG 974.5 330 3SP Technologies ...
3CN01178CL 974.5 350 3SP Technologies ...
3CN01178DA 974.5 400 3SP Technologies ...
3CN01178DL 974.5 450 3SP Technologies ...
3CN01178EA 974.5 500 3SP Technologies ...
3CN01178FA 974.5 600 3SP Technologies ...
3CN01178FS 974.5 680 3SP Technologies ...
3CN01178GA 974.5 700 3SP Technologies ...
3CN01178GE 974.5 720 3SP Technologies ...
3CN01178GL 974.5 750 3SP Technologies ...
3CN01343AL 976 150 3SP Technologies ...
3CN01343BA 976 200 3SP Technologies ...
3CN01343BL 976 250 3SP Technologies ...
3CN01343CA 976 300 3SP Technologies ...
3CN01343CG 976 330 3SP Technologies ...
3CN01344CA 974.5 300 3SP Technologies ...
3CN01344CL 974.5 350 3SP Technologies ...
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29



Компания «ОЭС Спецпоставка» осуществляет поставки различных источников излучения:

Продукция Innolume

Стандартные мощности одномодовых лазеров Innolume
Длина волны, нм Излучатель С выводом в волокно
Непрерывный Непрерывный Импульсный FBG
976   200mW   200mW
984   200mW   200mW
1020   600mW 1000mW 400mW
1030   600mW 1000mW 400mW
1045   600mW 1000mW 400mW
1050   600mW 1000mW 400mW
1060 500mW 600mW 1200mW 400mW
1064 500mW 600mW 1200mW 400mW
1075 500mW 600mW 1200mW 400mW
1080 500mW 600mW 1200mW 400mW
1085 500mW 600mW 1200mW 400mW
1100   400mW 1000mW 400mW
1113 250mW 400mW 1000mW 400mW
1120 250mW 400mW 1000mW 400mW
1122 250mW 400mW 1000mW 400mW
1123 250mW 400mW 1000mW 400mW
1124 250mW 400mW 1000mW 400mW
1130   400mW 1000mW 400mW
1140   300mW 400mW 300mW
1160 200mW 300mW 400mW 300mW
1178 300mW 500mW 500mW 350mW
1180 300mW 500mW 500mW 350mW
1188 300mW 500mW 500mW 350mW
1200 300mW 500mW 500mW 350mW
1210 300mW 500mW 700mW 500mW
1240 300mW 500mW 700mW 500mW
1244 300mW 500mW 700mW 500mW
1260 300mW 500mW 500mW 350mW
1270 300mW 500mW 500mW 350mW
1295   250mW 350mW 350mW
1309 100mW 250mW 350mW 350mW
1310 100mW 250mW 350mW 350mW

Продукция Shengshi Optical

Shengshi Optical (КНР) –профессиональный производитель лазерных диодов и фотодиодов в Китае. Основными видами деятельности являются разработка, производство и продажа фотоэлектрических компонентов. Ассортимент продукции включает лазерные диоды с волоконным выводом в корпусе типа «бабочка», «оптическая розетка» или коаксиального типа, лавинные и pin-фотодиоды, лазерные диоды и фотодиоды из арсенида галлия-индия и т.д. Все этапы производства осуществляются в строгом соответствии с требованиями международного стандарта ISO9001. Доступны услуги OEM и ODM производства. Выпускаемая продукция отличается высокой скоростью модуляции, низкими пороговым и рабочим токами, а также большой выходной энергией. Она нашла применение в различных измерительных приборах, системах связи и тест-системах. Благодаря высокому качеству, стабильности и долговечности лазерные диоды и фотодиоды экспортируются во многие страны и регионы по всему миру, включая Северную и Южную Америки, Африку и Европу.

Лазерный диод с одномодовым волоконным выводом в корпусе типа «бабочка»

Лазерный диод с одномодовым волоконным выводом разработан на базе чипа MQW-DFB, что позволяет удовлетворять требования систем высокоскоростной светопередачи с определенной длиной волны. Встроенный термоэлектрический охладитель позволяет поддерживать стабильную работу в различных условиях окружающей среды. Данный тип лазерных диодов нашел широкое применение в локальных (LAN), городских (MAN) и глобальных (WAN) сетях, сетях кабельного телевидения (CATV), а также системе DWDM. Они также могут использоваться в стабилизированных и модулированных источниках света, различном коммуникационном оборудовании, включая передатчики для сетей кабельного телевидения.

Лазерный диод с волоконными выводами: мощность от 2 до 24 мВт, длина волны 1310 нм, тип лазера DFB

PDF-файл.

Модуль лазерного диода с распределенной обратной связью (DFB лазер) генерирует лазерные лучи с определенной длиной волны. Он способен обеспечить высокую выходную мощность до 24 мВт. Модуль выполнен из встроенного или внешнего оптоизолятора, корпуса типа «бабочка» (14-контактный разъем) с термоэлектрическим охладителем, одномодовым волоконным выводом в буферном покрытии 900 мкм и разъема FC/APC. Длина монтажного шнура составляет 1,00±0,10 м. С низким пороговым током лазерный диод может поставляться со встроенным или внешним модемом.

Технические характеристики

Параметр Обозначение Условия испытания Мин. значение Стандартное значение Макс. значение Ед. измерения
Центральная длина волны λc Непрерывный режим 1300 1310 1320 нм
Спектральная ширина (-3 дБ) Δλ Непрерывный режим - 0,5 1 нм
Оптическая выходная мощность* Po Непрерывный режим, TL=25°C - - 32 мВт
Оптическая изоляция IS T=25°C 30 35 - дБ
Коэффициент подавления побочных мод SMSR Непрерывный режим 35 - - дБ
Пороговый ток Ith TL=25°C - 10 15 мА
Рабочий ток Iop Непрерывный режим - - 100 мА
Прямое напряжение VF Непрерывный режим - 1.2 2.0 В
Ток мониторинга Imon Vrpd= 5В 100 - 1500 мкА
Темновой ток ID Vrpd= 5В - - 100 нА
Диапазон рабочих температур T - -20 - +60 °C
Ошибка слежения γ TE=10log(Po(Tc)/Po(25°C) -1 - 1 дБ
Сопротивление термистора Rt T=25°C 9,5 - 10,5 кОм
Коэффициент термистора β B T=25°C 3900 К
Ток термоэлектрического охладителя IC ΔΤ=40°C - - 1.0 А
Напряжение термоэлектрического охладителя VC ΔΤ=40°C - - 2.0 В
Диапазон частота F - 45 - 2500 МГц
Частота отсечки Fc(-3 дБ) If=Iop 4 - - ГГц
Относительная интенсивность шума Nr Непрерывный режим, If=Iop, f=2,5 ГГц - -155 -150 дБ/Гц
Отношение сигнал/шум CNR Примечание 1 51 - - дБ
Композитные искажения второго порядка CSO - - -57 дБн
Композитные тройные биения CTB - - -65 дБн

Лазерный диод с волоконным выводом: мощность от 1 до 16 мВт, длина волны 1550 нм, тип лазера DFB

PDF-файл.

Модуль лазерного диода с распределенной обратной связью (DFB лазер) установлен в корпус типа «бабочка» (14-контактный разъем). Он выполнен из встроенного термоэлектрического охладителя, термистора и фотоэлектрического отслеживающего устройства. Лазерный диод с одномодовым волоконным выводом обеспечивает высокую выходную мощность, низкий пороговый ток и малый температурный коэффициент длины волны. В соответствии с ТЗ заказчика данный лазерный диод может поставляться со встроенным или внешним модемом, а также встроенным или внешним изолятором.

Схема устройства

Лазерный диод с волоконным выводом: мощность от 1 до 12 мВт, длина волны 1270-1610 нм, тип лазера CWDM DFB

PDF-файл.

Особенности

  • 1. Лазерный диод со структурой множественных квантовых ям способен удовлетворить требования высокоскоростных оптических систем передачи с определенной длиной волны;
  • 2. Встроенный термоэлектрический охладитель гарантирует стабильность работы во многих различных условиях;
  • 3. Лазерный модуль имеет низкий пороговый ток, высокую оптическую мощность и большую спектральную ширину, что гарантирует высокую стабильность во время работы;
  • 4. Заключен в корпус типа «бабочка» (14-pin);
  • 5. Диодный лазер применяется для модуляции источника излучения в сетях CATV, FTTH, GSM и т.д.

Технические характеристики

Параметр Обозначение Условия испытания Мин. значение Типичное значение Макс. значение Ед. измерения
Центральная длина волны λc Примечание 1 Примечание 2 нм
Спектральная ширина (-3 дБ) Δλ Непрерывный режим - 0.5 1 нм
Оптическая выходная мощность* Po Непрерывный режим, TL = 25°C - - 16 мВт
Оптическая изоляция IS T = 25°C 30 35 - дБ
Коэффициент подавления побочных мод SMSR Непрерывный режим 35 40 - дБ
Пороговый ток Ith TL = 25°C - 10 15 мА
Рабочий ток Iop Непрерывный режим - - 100 мА
Прямое напряжение VF Непрерывный режим - 1,2 2,0 В
Ток мониторинга Imon Vrpd=5В 100 - 1500 мкА
Темновой ток ID Vrpd=5В - - 100 нА
Диапазон рабочих температур T - -20 - 60 °C
Ошибка слежения γ TE=10log(Po(Tc)/ Po(25°C) -1 - 1 дБ
Сопротивление термистора Rt T = 25°C 9.5 - 10.5 кОм
Коэффициент термистора β B T = 25°C 3900 К
Ток термоэлектрического охладителя IC ΔΤ = 40°C - - 1.0 А
Напряжение термоэлектрического охладителя VC ΔΤ = 40°C - - 2.0 В
Диапазон частота F - 45 - 2500 МГц
Частота отсечки Fc(-3dB) If=Iop 4 - - ГГц
Относительная интенсивность шума (RIN) Nr Непрерывный режим, If=Iop, f=2,5 ГГц - -155 -150 дБ/Гц

Наша компания специализируется на производстве и поставке лазерных диодов с волоконным выводом.Помимо данной серии продуктов мы также предлагаем драйверы для лазерных диодов с волоконным выводом, PIN-фотодиоды, лазерные диоды CWDM и т.д.

Лазерный диод с волоконным выводом в корпусе типа «бабочка» для обнаружения газов, 8-10 Вт, 1653,5 нм (лазерный модуль с ультра узкой шириной линии излучения)

Лазерный диод с волоконным выводом для обнаружения газов производится в корпусе типа «бабочка» с 14-ю контактными разъемами. Лазерный диод с распределённой обратной связью (DFB) на основе квантово-размерных InGaAsP/InP-гетероструктур оснащен встроенным охладителем, защищающим устройство от перегрева. Он обеспечивает выход на одномодовое оптическое волокно и высокоскоростную модуляцию при максимальной выходной мощности 10 мВт. Данный тип лазерного оборудования разработан на базе лазера с внешним резонатором и встроенными волоконными брэгговскими решетками, что способствует стабилизации длины волны, сужению спектральной ширины и повышению коэффициента подавления побочных мод. Такие лазерные диоды широко применяются во многих научно-исследовательских устройствах, таких как оптические датчики газа, оптические химические сенсоры, оптическая контрольно-измерительная аппаратура, оборудование для тестирования производительности волокна и источники излучения оптических рефлектометров.

Лазерный диод с волоконным выводом в корпусе типа «бабочка» с ультра узкой шириной линии 1653 нм

PDF-файл.

Технические характеристики

Параметр Обозначение Условия испытания Мин. значение Стандартное значение Макс. значение Ед. измерения
Оптическая выходная мощность Po Непрерывный режим 6 8 - мВт
Пороговый ток Ith Непрерывный режим - 25 35 мВт
Рабочий ток Iop Po=PL, TL=25°C - 80 100 мА
Рабочее напряжение Vop Po=PL - 1,2 2,0 В
Дифференциальная эффективность η Po=PL, TL=25°C 0,1 - мВт/мА
Пиковая длина волны λP Po=PL, TL=25°C 1652 1653,5 1655 нм
Коэффициент подавления побочных мод SMSR Po=PL, TL=25°C 35 - - дБ
Спектральная ширина Δλ Po=PL, TL=25°C - - 10 МГц
Сопротивление термистора Rtherm T=25℃ 9,5 - 10,5 кОм
Коэффициент термистора β B T=25℃ - 3900 - К
Начальная температура лазера TL - 15 25 35
Ток мониторинга Imon Vrpd=5В 50 - 150
Темновой ток ID Vrpd=5В - - 200 нА
Ток термоэлектрического охладителя IC ΔT=40℃ - - 1,5 А
Напряжение термоэлектрического охладителя VC ΔT=40℃ - - 2,0 В

Особенности

  • 1. Лазерный диод способен вырабатывать лазер со стабилизированной длиной волны;
  • 2. Пиковая длина волны 1653,3 нм, спектральная ширина до 100 кГц, минимальная оптическая выходная мощность 8 мВт и минимальным коэффициент подавления побочных мод 35 дБ являются стандартными значениями для лазерных диодов данной серии;
  • 3. В комплекте поставляются термоэлектрический охладитель и термистор.

Лазерные диоды с волоконным выводом в коаксиальном корпусе

Драйвер для лазерного диода с волоконным выводом 1-4 мВт (FP лазер)

Драйвер для лазерного диода с волоконным выводом 1-4 мВт представляет собой полупроводниковый светоизлучающий прибор, который использует оптический резонатор Фабри-Перо для работы в нескольких продольных режимах и получения когерентного света. Данный тип устройств обладает следующими преимуществами: большая выходная мощность, малая расходимость луча, узкий спектр и высокая скорость модуляции. Они отлично подходят для систем междугородной связи.

Лазерный диод обеспечивает низкий пороговый ток, низкий рабочий ток и выход на одномодовое волокно. Кроме того, он оснащен встроенным изолятором и фотодиодом, что обуславливает стабилизацию мощности на выходе. Может применяться на станциях систем кабельного телевидения, в системах кабельного телевидения с обратным каналом, системах передачи на короткие расстояния, системах связи GSM или CDMA, различных аналоговых системах и т.д.

Лазерный диод, длина волны 1310 нм, мощность 1-4 мВт, коаксиальный корпус

Лазерный диод, длина волны 1550 нм, мощность 1-4 мВт, коаксиальный корпус

Лазерный диод 1310 нм 1-4 мВт, коаксиальный корпус

PDF-файл.

Технические характеристики

Параметр Обозначение Мин. значение Стандартное значение Макс. значение Ед. измерения Условия испытания
Номинальная мощность Po 0,2 - 4 мВт Ith+20 мА
Пороговый ток Ith 5 - 12 мА Непрерывный режим
Падение напряжения в режиме прямого тока Vop - 1,0 1,5 В Непрерывный режим, Ith+20 мА
Средняя длина волны λc 1300 1310 1320 нм -20 дБ
1540 1550 1560
Ширина спектра (-3 дБ) Δλ - 2 3 нм Ith+20 мА
Ширина пропускания Bw - 2,5 ГГц -
Ток мониторинга Im 100 900 мкА Непрерывный режим, Ith+20 мА
Темновой ток Id - - 100 нА
Относительная интенсивность шума RIN - -150 - дБ/Гц Непрерывный режим, 25℃
Неравномерность АЧХ BF ±1.5 дБ If=Iop,45-1200 МГц
Искажение третьего порядка IMD3 - 53 дБн Проверка 2 тональных сигналов
Оптическая изоляция ISO 30 40 - дБ 25℃

Лазерный диод 1550 нм 1-4 мВт, коаксиальный корпус

PDF-файл.

Схема устройства

Компания Shengshi является специализированным производителем драйверов для лазерных диодов с волоконным выводом 1-4 мВт. В дополнение к данной продукции мы также предлагаем широкой ассортимент электронных компонентов, таких как лазерные диоды DFB с волоконным выводом, лазерные диоды с длиной волны 1650 нм и скоростью передачи 2.5 гбит/с, фотодиоды и многое другое.

Импульсный лазерный диод FP для оптического рефлектометра

Лазерный диод для оптического рефлектометра способен работать в импульсном или непрерывном режиме. Основными достоинствами являются низкий пороговой ток, большая выходная мощность и высокая допустимая нагрузка по току. Данная серия лазерных диодов может поставляться с дополнительным выводом на многомодовое оптоволокно. Помимо оптических рефлекторов импульсные лазерные диоды могут применяться в системах связи и тест-системах, разработанных на основе комбинационного рассеяния.

Импульсный лазерный диод 1310 нм для оптического рефлектометра

Импульсный лазерный диод 1490 нм для оптического рефлектометра

Импульсный лазерный диод 1310 нм для оптического рефлектометра

Более детальная информация о продукте: 20-50MW или 60-80MW.

Схема устройства

Импульсный лазерный диод 1490 нм для оптического рефлектометра

Более детальная информация о продукте: PDF-файл.

Технические характеристики

Параметр Обозначение Мин. значение Стандартное значение Макс. значение Ед. измерения Примечание
Прямое напряжение VFP 3,5 В IFP = 400 мА, PW = 10 мкс, нагрузка = 1%
Пороговый ток Ith 20 35 мА
Оптическая выходная мощность волокна Pf 40 60 мВт IFP =400 мА, PW = 10 мкс, нагрузка = 1%
Средняя длина волны λc 1470 1490 1510 нм IFP =400 мА, PW = 10 мкс, нагрузка = 1%
Ширина спектра σ 4 нм RMS (−3 дБ)
Время нарастания tr 0,5 2,0 нс 10-90%
Время спада tf 0,5 2,0 нс 90-10%
Ток мониторинга Im 0,05 2 мА VRM = 5В

Импульсный лазерный диод 1550 нм для оптического рефлектометра

Импульсный лазерный диод 1650 нм 40-60Вт для оптического рефлектометра

Импульсный лазерный диод 1550 нм для оптического рефлектометра

Более детальная информация о продукте:20-40MW, 60MW или 80MW.

Технические характеристики

Параметр Обозначение Мин. значение Стандартное значение Макс. значение Ед. измерения Примечание
Прямое напряжение VFP 3,5 В IFP =450 мА, PW = 10 мкс, нагрузка = 1%
Пороговый ток Ith 20 35 мА
Оптическая выходная мощность волокна Pf 60 мВт IFP =450 мА, PW = 10 мкс, нагрузка = 1%
Средняя длина волны λc 1530 1550 1570 нм PW = 10 мкс, нагрузка = 1%
Ширина спектра σ 4 нм RMS (−3 дБ)
Время нарастания tr 0,5 2,0 нс 10-90%
Время спада tf 0,5 2,0 нс 90-10%
Ток мониторинга Im 0,05 2 мА VRM = 5В

Импульсный лазерный диод 1625 нм для оптического рефлектометра

Более детальная информация о продукте: PDF-файл.

Импульсный лазерный диод 1625 нм для оптического рефлектометра оснащен FP чипом высокой мощности с низким пороговым током. Он способен работать в двух режимах: импульсном и непрерывном. Многомодовое оптическое волокно – опционалльно. Помимо оптических рефлекторов импульсные лазерные диоды могут применяться в системах связи и тест-системах, разработанных на основе комбинационного рассеяния.

Технические характеристики

Параметр Обозначение Мин. значение Стандартное значение Макс. значение Ед. измерения Примечание
Прямое напряжение VFP 3.0 В IFP = 400 мА, PW = 10 мкс, нагрузка = 1%
Пороговый ток Ith 20 35 мА
Оптическая выходная мощность волокна Pf 40 мВт IFP =400 мА, PW = 10 мкс, нагрузка = 1%
Средняя длина волны λc 1620 1625 1630 нм IFP =400 мА, PW = 10 мкс, нагрузка = 1%
Ширина спектра σ 4 нм RMS (−3 дБ)
Время нарастания tr 0.5 2.0 нс 10-90%
Время спада tf 0.5 2.0 нм 90-10%
Ток мониторинга Im 0.05 2 мА VRM = 5В

Импульсный лазерный диод 1650 нм 30 мВт для оптического рефлектометра

Более детальная информация о продукте: PDF-файл.

Технические характеристики

Параметр Обозначение Мин. значение Стандартное значение Макс. значение Ед. измерения Примечание
Прямое напряжение VFP 3,0 В IFP = 400 мА, PW = 10 мкс, нагрузка = 1%
Пороговый ток Ith 20 35 мА
Оптическая выходная мощность волокна Pf 30 мВт IFP =400 мА, PW = 10 мкс, нагрузка = 1%
Средняя длина волны λC 1645 1650 1655 нм IFP =400 мА, PW = 10 мкс, нагрузка = 1%
Ширина спектра σ 4 нм RMS (−3 дБ)
Время нарастания tr 0,5 2,0 нс 10-90%
Время спада tf 0,5 2,0 нм 90-10%
Ток мониторинга Im 0,05 2 мА VRM = 5В

Лазерный диод DFB с волоконным выводом

Лазерный диод DFB (с распределенной обратной связью) с волоконным выводом разработан на основе FP лазера с добавлением фильтра с дифракционной решеткой, что позволяет работать в режиме генерации одной продольной моды. Лазерные диоды с распределенной обратной связью обладают такими достоинствами, как большая выходная мощность, малая расходимость луча, узкий спектр и высокая скорость модуляции. Они отлично подходят для систем междугородной связи, систем кабельного телевидения, сетей GSM или CDMA и других систем с аналоговой модуляцией.

Лазерный модуль с волоконным выводом включает чип MQW-DFB с длиной волны 1310 нм или 1550 нм, 4-х контактный разъем и вывод на одномодовое оптоволокно. Он поддерживает низкий рабочий ток и высокую выходную мощность между 1 и 10 мВт. Кроме того, он вырабатывает минимальный уровень шума при высокой линейной выходной мощности. Лазерный диод может быть оснащен коннектором типа SC/APC или FC/APC.

Лазерный диод DFB с волоконным выводом 1310 нм 1-4 мВт

Лазерный диод DFB с волоконным выводом 1310 нм 8-10 мВт

Лазерный диод DFB с волоконным выводом 1310 нм 1-4 мВт

Более детальная информация о продукте: PDF-файл.

Технические характеристики

Параметр Обозначение Мин. значение Стандартное значение Макс. значение Ед. измерения Условия испытания
Номинальная мощность Po 1 - 4 мВт Ith+20 мА
Дифференциальная эффективность SE 0,2 мВт/мА
Пороговый ток Ith 10 15 мА -
Прямое напряжение Vop - 1,0 1,2 В Непрерывный режим, Ith+20 мА
Средняя длина волны λc 1300 1310 1320 нм -
Ширина спектра(-3 дБ) Δλ - 0,5 1 нм Ith+20 мА
Коэффициент подавления побочных мод SMSR 35 - дБ -
Полоса пропускания Bw 2,5 ГГц
Ток мониторинга Im 100 900 мкА Непрерывный режим, Ith+20 мА
Темновой ток Id - - 100 нА
Оптическая изоляция (одноступенчатая) ISO 35 40 - дБ
Оптическая изоляция (двухступенчатая) ISO 45 50 - дБ
Обратные потери RL -45 дБ
Аналоговые характеристики
Относительная интенсивность шума RIN - -155 -150 дБ/Гц -
Неравномерность АЧХ BF ±1.5 дБ
Искажение третьего порядка IMD3 - -55 - дБн
Отношение сигнал/шум CNR 51 - - дБ Примечание 1
Композитные искажения второго порядка CSO - - -57 дБн
Композитные тройные биения CTB - - -65 дБн

Лазерный диод DFB с волоконным выводом 1310 нм 1-4 мВт 8-10 мВт

Более детальная информация о продукте: PDF-файл.

Схема лазерного диода

Лазерный диод DFB с волоконным выводом 1550 нм 1-3 мВт

Лазерный диод DFB с волоконным выводом 1550 нм 6-8 мВт

Лазерный диод DFB с волоконным выводом 1550 нм 1-3 мВт

Более детальная информация о продукте: PDF-файл.

Технические характеристики

Параметр Обозначение Мин. значение Стандартное значение Макс. значение Ед. измерения Условия испытания
Номинальная мощность Po 6 8 10 мВт Ith+40 мА
Дифференциальная эффективность SE 0,15 0,2 мВт/мА
Пороговый ток Ith 10 15 мА -
Рабочий ток Iop 50 70 мА
Прямое напряжение Vop - 1,0 1,2 В Непрерывный режим, Ith+40 мА
Средняя длина волны λc 1540 1550 1560 нм -
Ширина спектра(-3 дБ) Δλ - 0,5 1 нм Ith+40 мА
Коэффициент подавления побочных мод SMSR 35 - дБ -
Полоса пропускания Bw 2,5 ГГц
Ток мониторинга Im 100 1200 мкА Непрерывный режим, Ith+40 мА
Темновой ток Id - - 100 нА
Оптическая изоляция (одноступенчатая) ISO 35 40 - дБ
Оптическая изоляция (двухступенчатая) ISO 45 50 - дБ
Обратные потери RL -45 дБ
Аналоговые характеристики
Относительная интенсивность шума RIN - -155 -150 дБ/Гц -
Неравномерность АЧХ BF ±1,5 дБ
Искажение третьего порядка IMD3 - -55 - дБн
Отношение сигнал/шум CNR 51 - - дБ Примечание 1
Композитные искажения второго порядка CSO - - -57 дБн
Композитные тройные биения CTB - - -65 дБн

Лазерный диод DFB с волоконным выводом 1550 нм 6-8 мВт

Более детальная информация о продукте: PDF-файл.

Технические характеристики

Параметр Обозначение Мин. значение Стандартное значение Макс. значение Ед. измерения Условия испытания
Номинальная мощность Po 6 8 10 мВт Ith+40 мА
Дифференциальная эффективность SE 0,15 0,2 мВт/мА
Пороговый ток Ith 10 15 мА -
Рабочий ток Iop 50 70 мА
Прямое напряжение Vop - 1,0 1,2 В Непрерывный режим, Ith+40 мА
Средняя длина волны λc 1540 1550 1560 нм -
Ширина спектра(-3 дБ) Δλ - 0,5 1 нм Ith+40 мА
Коэффициент подавления побочных мод SMSR 35 - дБ -
Полоса пропускания Bw 2,5 ГГц
Ток мониторинга Im 100 1200 мкА Непрерывный режим, Ith+40 мА
Темновой ток Id - - 100 нА
Оптическая изоляция (одноступенчатая) ISO 35 40 - дБ
Оптическая изоляция (двухступенчатая) ISO 45 50 - дБ
Обратные потери RL -45 дБ
Аналоговые характеристики
Относительная интенсивность шума RIN - -155 -150 дБ/Гц -
Неравномерность АЧХ BF ±1.5 дБ
Искажение третьего порядка IMD3 - -55 - дБн
Отношение сигнал/шум CNR 51 - - дБ Примечание 1
Композитные искажения второго порядка CSO - - -57 дБн
Композитные тройные биения CTB - - -65 дБн

Лазерные диоды из арсенида галлия-индия в корпусе «оптическая розетка» (предающие оптические сборки типа TOSA)

Красный лазерный диод 650 нм

Более детальная информация о продукте: PDF-файл.

Красный лазерный диод с длиной волны 650 нм установлен в корпус типа «оптическая розетка». Он использует чип с излучением красного цвета с длиной волны 635 или 650 нм и выходной мощностью от 1 до 20 мВт. Данное устройство может применяться в качестве волоконно-оптического светового индикатора, красной лазерной указки или индикатора контрольной точки. Кроме того, красные лазерные диоды нашли широкое применение в медицине.

Распиновка

Лазерный диод с волоконным выводом в корпусе «оптическая розетка» 1310-1550 нм 0,2-2 мВт

Более детальная информация о продукте: PDF-файл.

Лазерный диод с волоконным выводом в корпусе «оптическая розетка» оснащен резонатором Фабои-Перо, что гарантирует низкие пороговый и рабочий токи. Доступные виды разъемов: SC, ST или FC. Данное устройство обычно используется в ручных фонариках, настольных лампах, оптических мультиметрах и оборудовании для проверки связи.

Технические характеристики

Параметр Обозначение Мин. значение Стандартное значение Макс. значение Ед. измерения Условия испытания
Номинальная мощность Po 0.2 - 2 мВт Ith+20 мА
Пороговый ток Ith 3 - 12 мА Непрерывный режим
Падение напряжения в режиме прямого тока Vop - 1,1 1,5 В Непрерывный режим, Ith+20 мА
Средняя длина волны λc 1300 1310 1320 нм -
1540 1550 1560
Ширина спектра (-3 дБ) Δλ - 0,3 0,5 нм Ith+20 мА
Полоса пропускания Bw 1,25 2,5 - Гц RI=50 Ом
Ток мониторинга Im 100 900 мкА Непрерывный режим, Ith+20 мА
Темновой ток Id - - 100 нА Непрерывный режим, Ith+20 мА
Оптическая изоляция ISO 30 - - дБ 25℃

Схема

Продукция II-VI Laser Enterprise

Одномодовые лазерные диоды с волоконным выходом:

Артикул Длина волны (нм) Мощность (CW) Особенности PDF
LC96A1060-20R 1060 400мВт 14-pin PDF
LC96A1070-20R 1060 400мВт 14-pin PDF
LC96A1064BBFBG-20R 1064 350мВт 14-pin, FBG PDF
LC96A1064NBFBG-20R 1064 350мВт 14-pin, FBG, узкополосный PDF
CM97A1064 1064 700мВт 10-pin PDF
CM97A1064BFBG 1064 600мВт 10-pin, FBG PDF
CM97A1064NFBG 1064 700мВт 10-pin, FBG, узкополосный PDF
CMDFB1064A 1064 200мВт 10-pin, DFB PDF
CMDFB1030A 1030 200мВт 10-pin, DFB PDF
CM97-1000-76PM 976 1 Вт 10-pin, DFB, FBG PDF

980 нм модули накачки:

Single-chip:

Артикул Охлаждение Мощность Особенности PDF
CM96Zxxx-74/76 Да 200-600 BTF 10-pin PDF
LC96Zxxx-74/76 Да 200-600 BTF 14-pin PDF
CML96Zxxx-74/76 Да 200-600 BTF 10-pin, низкое потребление PDF
LCL96Zxxx-74/76 Да 200-600 BTF 14-pin, низкое потребление PDF
CM97-xxx-74/76 Да 610-1000 BTF 10-pin PDF
LU96Zxxx-74/76 Нет 110-300 Mini-DIL 8-pin PDF
UM96Zxxx-74/76 Нет 310-500 BTF 10-pin PDF

Dual-chip:

Артикул Охлаждение Мощность Особенности PDF
DCL96xx74P-21R Да 400-600 BTF 14-pin PDF
DCL96xx74/76-10R Нет 200-500 BTF 10-pin PDF

Наша компания за годы работы стала крупным поставщиком электронного оборудования, который доставляет заказы в пределах страны. Профессионализм наших сотрудников позволяет решать разномасштабные задачи в работе как с крупными серийными производствами, так и с опытными конструкторскими бюро. Наша компания предлагает удобные формы оплаты заказа и различные способы его доставки. Одномодовые лазерные диоды, заказанные у нас — это гарантированно качественный товар.

Innolume GmbH (Innolume) (Германия) – разработчик и производитель лазерных диодов. Компания осуществляет полный цикл производства своей продукции на собственном заводе, используя собственные научные разработки.

Wuhan Shengshi Optical Communication Technology Co Ltd (Shengshi Optical) (Китай) – профессиональный производитель лазерных диодов и фотодиодов в Китае. Основными видами деятельности являются разработка, производство и продажа фотоэлектрических компонентов. Ассортимент продукции включает лазерные диоды с волоконным выводом в корпусе типа «бабочка», «оптическая розетка» или коаксиального типа, лавинные и pin-фотодиоды, лазерные диоды и фотодиоды из арсенида галлия-индия и т.д.

II-VI Laser Enterprise GmbH (II-VI Laser Enterprise) (Швейцария) - компания является ведущим мировым разработчиком и производителем одномодовых 980 нм лазеров накачки, высокомощных лазерных диодов и вертикально-излучающих лазеров (VCSEL). II-VI Laser Enterprise GmbH является дочерним предприятием II-VI Incorporated со штаб-кавртирой в Цюрихе, Швейцария.