<

Комплексные решения поставки электронных компонентов

Одномодовые лазерные диоды

Буклет ОЭС Спецпоставка, «Оптика и Фотоника», скачать

Брошюра «Применения»

Фильтр

Номинальная мощность, мВт

Длина волны, нм


Артикул Длина волны, нм Мощность, мВт Производитель PDF
3CN01174BA974.52003SP Technologies...
3CN01174BL974.52503SP Technologies...
3CN01174CA974.53003SP Technologies...
3CN01174CG974.53303SP Technologies...
3CN01178CL974.53503SP Technologies...
3CN01178DA974.54003SP Technologies...
3CN01178DL974.54503SP Technologies...
3CN01178EA974.55003SP Technologies...
3CN01178FA974.56003SP Technologies...
3CN01178FS974.56803SP Technologies...
3CN01178GA974.57003SP Technologies...
3CN01178GE974.57203SP Technologies...
3CN01178GL974.57503SP Technologies...
3CN01343AL9761503SP Technologies...
3CN01343BA9762003SP Technologies...
3CN01343BL9762503SP Technologies...
3CN01343CA9763003SP Technologies...
3CN01343CG9763303SP Technologies...
3CN01344CA974.53003SP Technologies...
3CN01344CL974.53503SP Technologies...
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29



Компания «ОЭС Спецпоставка» осуществляет поставки различных источников излучения:

Продукция Innolume

Стандартные мощности одномодовых лазеров Innolume
Длина волны, нмИзлучательС выводом в волокно
НепрерывныйНепрерывныйИмпульсныйFBG
976 200mW 200mW
984 200mW 200mW
1020 600mW1000mW400mW
1030 600mW1000mW400mW
1045 600mW1000mW400mW
1050 600mW1000mW400mW
1060500mW600mW1200mW400mW
1064500mW600mW1200mW400mW
1075500mW600mW1200mW400mW
1080500mW600mW1200mW400mW
1085500mW600mW1200mW400mW
1100 400mW1000mW400mW
1113250mW400mW1000mW400mW
1120250mW400mW1000mW400mW
1122250mW400mW1000mW400mW
1123250mW400mW1000mW400mW
1124250mW400mW1000mW400mW
1130 400mW1000mW400mW
1140 300mW400mW300mW
1160200mW300mW400mW300mW
1178300mW500mW500mW350mW
1180300mW500mW500mW350mW
1188300mW500mW500mW350mW
1200300mW500mW500mW350mW
1210300mW500mW700mW500mW
1240300mW500mW700mW500mW
1244300mW500mW700mW500mW
1260300mW500mW500mW350mW
1270300mW500mW500mW350mW
1295 250mW350mW350mW
1309100mW250mW350mW350mW
1310100mW250mW350mW350mW

Продукция Shengshi Optical

Shengshi Optical (КНР) –профессиональный производитель лазерных диодов и фотодиодов в Китае. Основными видами деятельности являются разработка, производство и продажа фотоэлектрических компонентов. Ассортимент продукции включает лазерные диоды с волоконным выводом в корпусе типа «бабочка», «оптическая розетка» или коаксиального типа, лавинные и pin-фотодиоды, лазерные диоды и фотодиоды из арсенида галлия-индия и т.д. Все этапы производства осуществляются в строгом соответствии с требованиями международного стандарта ISO9001. Доступны услуги OEM и ODM производства. Выпускаемая продукция отличается высокой скоростью модуляции, низкими пороговым и рабочим токами, а также большой выходной энергией. Она нашла применение в различных измерительных приборах, системах связи и тест-системах. Благодаря высокому качеству, стабильности и долговечности лазерные диоды и фотодиоды экспортируются во многие страны и регионы по всему миру, включая Северную и Южную Америки, Африку и Европу.

Лазерный диод с одномодовым волоконным выводом в корпусе типа «бабочка»

Лазерный диод с одномодовым волоконным выводом разработан на базе чипа MQW-DFB, что позволяет удовлетворять требования систем высокоскоростной светопередачи с определенной длиной волны. Встроенный термоэлектрический охладитель позволяет поддерживать стабильную работу в различных условиях окружающей среды. Данный тип лазерных диодов нашел широкое применение в локальных (LAN), городских (MAN) и глобальных (WAN) сетях, сетях кабельного телевидения (CATV), а также системе DWDM. Они также могут использоваться в стабилизированных и модулированных источниках света, различном коммуникационном оборудовании, включая передатчики для сетей кабельного телевидения.

Лазерный диод с волоконными выводами: мощность от 2 до 24 мВт, длина волны 1310 нм, тип лазера DFB

PDF-файл.

Модуль лазерного диода с распределенной обратной связью (DFB лазер) генерирует лазерные лучи с определенной длиной волны. Он способен обеспечить высокую выходную мощность до 24 мВт. Модуль выполнен из встроенного или внешнего оптоизолятора, корпуса типа «бабочка» (14-контактный разъем) с термоэлектрическим охладителем, одномодовым волоконным выводом в буферном покрытии 900 мкм и разъема FC/APC. Длина монтажного шнура составляет 1,00±0,10 м. С низким пороговым током лазерный диод может поставляться со встроенным или внешним модемом.

Технические характеристики

ПараметрОбозначениеУсловия испытанияМин. значениеСтандартное значениеМакс. значениеЕд. измерения
Центральная длина волныλcНепрерывный режим130013101320нм
Спектральная ширина (-3 дБ)ΔλНепрерывный режим-0,51нм
Оптическая выходная мощность*PoНепрерывный режим, TL=25°C--32мВт
Оптическая изоляцияIST=25°C3035-дБ
Коэффициент подавления побочных модSMSRНепрерывный режим35--дБ
Пороговый токIthTL=25°C-1015мА
Рабочий токIopНепрерывный режим--100мА
Прямое напряжениеVFНепрерывный режим-1.22.0В
Ток мониторингаImonVrpd= 5В100-1500мкА
Темновой токIDVrpd= 5В--100нА
Диапазон рабочих температурT--20-+60°C
Ошибка слеженияγTE=10log(Po(Tc)/Po(25°C)-1-1дБ
Сопротивление термистораRtT=25°C9,5-10,5кОм
Коэффициент термистора βBT=25°C3900К
Ток термоэлектрического охладителяICΔΤ=40°C--1.0А
Напряжение термоэлектрического охладителяVCΔΤ=40°C--2.0В
Диапазон частотаF-45-2500МГц
Частота отсечкиFc(-3 дБ)If=Iop4--ГГц
Относительная интенсивность шумаNrНепрерывный режим, If=Iop, f=2,5 ГГц--155-150дБ/Гц
Отношение сигнал/шумCNRПримечание 151--дБ
Композитные искажения второго порядкаCSO---57дБн
Композитные тройные биенияCTB---65дБн

Лазерный диод с волоконным выводом: мощность от 1 до 16 мВт, длина волны 1550 нм, тип лазера DFB

PDF-файл.

Модуль лазерного диода с распределенной обратной связью (DFB лазер) установлен в корпус типа «бабочка» (14-контактный разъем). Он выполнен из встроенного термоэлектрического охладителя, термистора и фотоэлектрического отслеживающего устройства. Лазерный диод с одномодовым волоконным выводом обеспечивает высокую выходную мощность, низкий пороговый ток и малый температурный коэффициент длины волны. В соответствии с ТЗ заказчика данный лазерный диод может поставляться со встроенным или внешним модемом, а также встроенным или внешним изолятором.

Схема устройства

Лазерный диод с волоконным выводом: мощность от 1 до 12 мВт, длина волны 1270-1610 нм, тип лазера CWDM DFB

PDF-файл.

Особенности

  • 1. Лазерный диод со структурой множественных квантовых ям способен удовлетворить требования высокоскоростных оптических систем передачи с определенной длиной волны;
  • 2. Встроенный термоэлектрический охладитель гарантирует стабильность работы во многих различных условиях;
  • 3. Лазерный модуль имеет низкий пороговый ток, высокую оптическую мощность и большую спектральную ширину, что гарантирует высокую стабильность во время работы;
  • 4. Заключен в корпус типа «бабочка» (14-pin);
  • 5. Диодный лазер применяется для модуляции источника излучения в сетях CATV, FTTH, GSM и т.д.

Технические характеристики

ПараметрОбозначениеУсловия испытанияМин. значениеТипичное значениеМакс. значениеЕд. измерения
Центральная длина волныλcПримечание 1Примечание 2нм
Спектральная ширина (-3 дБ)ΔλНепрерывный режим-0.51нм
Оптическая выходная мощность*PoНепрерывный режим, TL = 25°C--16мВт
Оптическая изоляцияIST = 25°C3035-дБ
Коэффициент подавления побочных модSMSRНепрерывный режим3540-дБ
Пороговый токIthTL = 25°C-1015мА
Рабочий токIopНепрерывный режим--100мА
Прямое напряжениеVFНепрерывный режим-1,22,0В
Ток мониторингаImonVrpd=5В100-1500мкА
Темновой токIDVrpd=5В--100нА
Диапазон рабочих температурT--20-60°C
Ошибка слеженияγTE=10log(Po(Tc)/ Po(25°C)-1-1дБ
Сопротивление термистораRtT = 25°C9.5-10.5кОм
Коэффициент термистора βBT = 25°C3900К
Ток термоэлектрического охладителяICΔΤ = 40°C--1.0А
Напряжение термоэлектрического охладителяVCΔΤ = 40°C--2.0В
Диапазон частотаF-45-2500МГц
Частота отсечкиFc(-3dB)If=Iop4--ГГц
Относительная интенсивность шума (RIN)NrНепрерывный режим, If=Iop, f=2,5 ГГц--155-150дБ/Гц

Наша компания специализируется на производстве и поставке лазерных диодов с волоконным выводом.Помимо данной серии продуктов мы также предлагаем драйверы для лазерных диодов с волоконным выводом, PIN-фотодиоды, лазерные диоды CWDM и т.д.

Лазерный диод с волоконным выводом в корпусе типа «бабочка» для обнаружения газов, 8-10 Вт, 1653,5 нм (лазерный модуль с ультра узкой шириной линии излучения)

Лазерный диод с волоконным выводом для обнаружения газов производится в корпусе типа «бабочка» с 14-ю контактными разъемами. Лазерный диод с распределённой обратной связью (DFB) на основе квантово-размерных InGaAsP/InP-гетероструктур оснащен встроенным охладителем, защищающим устройство от перегрева. Он обеспечивает выход на одномодовое оптическое волокно и высокоскоростную модуляцию при максимальной выходной мощности 10 мВт. Данный тип лазерного оборудования разработан на базе лазера с внешним резонатором и встроенными волоконными брэгговскими решетками, что способствует стабилизации длины волны, сужению спектральной ширины и повышению коэффициента подавления побочных мод. Такие лазерные диоды широко применяются во многих научно-исследовательских устройствах, таких как оптические датчики газа, оптические химические сенсоры, оптическая контрольно-измерительная аппаратура, оборудование для тестирования производительности волокна и источники излучения оптических рефлектометров.

Лазерный диод с волоконным выводом в корпусе типа «бабочка» с ультра узкой шириной линии 1653 нм

PDF-файл.

Технические характеристики

ПараметрОбозначениеУсловия испытанияМин. значениеСтандартное значениеМакс. значениеЕд. измерения
Оптическая выходная мощностьPoНепрерывный режим68-мВт
Пороговый токIthНепрерывный режим-2535мВт
Рабочий токIopPo=PL, TL=25°C-80100мА
Рабочее напряжениеVopPo=PL-1,22,0В
Дифференциальная эффективностьηPo=PL, TL=25°C0,1-мВт/мА
Пиковая длина волныλPPo=PL, TL=25°C16521653,51655нм
Коэффициент подавления побочных модSMSRPo=PL, TL=25°C35--дБ
Спектральная ширинаΔλPo=PL, TL=25°C--10МГц
Сопротивление термистораRthermT=25℃9,5-10,5кОм
Коэффициент термистора βBT=25℃-3900-К
Начальная температура лазераTL-152535
Ток мониторингаImonVrpd=5В50-150
Темновой токIDVrpd=5В--200нА
Ток термоэлектрического охладителяICΔT=40℃--1,5А
Напряжение термоэлектрического охладителяVCΔT=40℃--2,0В

Особенности

  • 1. Лазерный диод способен вырабатывать лазер со стабилизированной длиной волны;
  • 2. Пиковая длина волны 1653,3 нм, спектральная ширина до 100 кГц, минимальная оптическая выходная мощность 8 мВт и минимальным коэффициент подавления побочных мод 35 дБ являются стандартными значениями для лазерных диодов данной серии;
  • 3. В комплекте поставляются термоэлектрический охладитель и термистор.

Лазерные диоды с волоконным выводом в коаксиальном корпусе

Драйвер для лазерного диода с волоконным выводом 1-4 мВт (FP лазер)

Драйвер для лазерного диода с волоконным выводом 1-4 мВт представляет собой полупроводниковый светоизлучающий прибор, который использует оптический резонатор Фабри-Перо для работы в нескольких продольных режимах и получения когерентного света. Данный тип устройств обладает следующими преимуществами: большая выходная мощность, малая расходимость луча, узкий спектр и высокая скорость модуляции. Они отлично подходят для систем междугородной связи.

Лазерный диод обеспечивает низкий пороговый ток, низкий рабочий ток и выход на одномодовое волокно. Кроме того, он оснащен встроенным изолятором и фотодиодом, что обуславливает стабилизацию мощности на выходе. Может применяться на станциях систем кабельного телевидения, в системах кабельного телевидения с обратным каналом, системах передачи на короткие расстояния, системах связи GSM или CDMA, различных аналоговых системах и т.д.

Лазерный диод, длина волны 1310 нм, мощность 1-4 мВт, коаксиальный корпус

Лазерный диод, длина волны 1550 нм, мощность 1-4 мВт, коаксиальный корпус

Лазерный диод 1310 нм 1-4 мВт, коаксиальный корпус

PDF-файл.

Технические характеристики

ПараметрОбозначениеМин. значениеСтандартное значениеМакс. значениеЕд. измеренияУсловия испытания
Номинальная мощностьPo0,2-4мВтIth+20 мА
Пороговый токIth5-12мАНепрерывный режим
Падение напряжения в режиме прямого токаVop-1,01,5ВНепрерывный режим, Ith+20 мА
Средняя длина волныλc130013101320нм-20 дБ
154015501560
Ширина спектра (-3 дБ)Δλ-23нмIth+20 мА
Ширина пропусканияBw-2,5ГГц-
Ток мониторингаIm100900мкАНепрерывный режим, Ith+20 мА
Темновой токId--100нА
Относительная интенсивность шумаRIN--150-дБ/ГцНепрерывный режим, 25℃
Неравномерность АЧХBF±1.5дБIf=Iop,45-1200 МГц
Искажение третьего порядкаIMD3-53дБнПроверка 2 тональных сигналов
Оптическая изоляцияISO3040-дБ25℃

Лазерный диод 1550 нм 1-4 мВт, коаксиальный корпус

PDF-файл.

Схема устройства

Компания Shengshi является специализированным производителем драйверов для лазерных диодов с волоконным выводом 1-4 мВт. В дополнение к данной продукции мы также предлагаем широкой ассортимент электронных компонентов, таких как лазерные диоды DFB с волоконным выводом, лазерные диоды с длиной волны 1650 нм и скоростью передачи 2.5 гбит/с, фотодиоды и многое другое.

Импульсный лазерный диод FP для оптического рефлектометра

Лазерный диод для оптического рефлектометра способен работать в импульсном или непрерывном режиме. Основными достоинствами являются низкий пороговой ток, большая выходная мощность и высокая допустимая нагрузка по току. Данная серия лазерных диодов может поставляться с дополнительным выводом на многомодовое оптоволокно. Помимо оптических рефлекторов импульсные лазерные диоды могут применяться в системах связи и тест-системах, разработанных на основе комбинационного рассеяния.

Импульсный лазерный диод 1310 нм для оптического рефлектометра

Импульсный лазерный диод 1490 нм для оптического рефлектометра

Импульсный лазерный диод 1310 нм для оптического рефлектометра

Более детальная информация о продукте: 20-50MW или 60-80MW.

Схема устройства

Импульсный лазерный диод 1490 нм для оптического рефлектометра

Более детальная информация о продукте: PDF-файл.

Технические характеристики

ПараметрОбозначениеМин. значениеСтандартное значениеМакс. значениеЕд. измеренияПримечание
Прямое напряжениеVFP3,5ВIFP = 400 мА, PW = 10 мкс, нагрузка = 1%
Пороговый токIth2035мА
Оптическая выходная мощность волокнаPf4060мВтIFP =400 мА, PW = 10 мкс, нагрузка = 1%
Средняя длина волныλc147014901510нмIFP =400 мА, PW = 10 мкс, нагрузка = 1%
Ширина спектраσ4нмRMS (−3 дБ)
Время нарастанияtr0,52,0нс10-90%
Время спадаtf0,52,0нс90-10%
Ток мониторингаIm0,052мАVRM = 5В

Импульсный лазерный диод 1550 нм для оптического рефлектометра

Импульсный лазерный диод 1650 нм 40-60Вт для оптического рефлектометра

Импульсный лазерный диод 1550 нм для оптического рефлектометра

Более детальная информация о продукте:20-40MW, 60MW или 80MW.

Технические характеристики

ПараметрОбозначениеМин. значениеСтандартное значениеМакс. значениеЕд. измеренияПримечание
Прямое напряжениеVFP3,5ВIFP =450 мА, PW = 10 мкс, нагрузка = 1%
Пороговый токIth2035мА
Оптическая выходная мощность волокнаPf60мВтIFP =450 мА, PW = 10 мкс, нагрузка = 1%
Средняя длина волныλc153015501570нмPW = 10 мкс, нагрузка = 1%
Ширина спектраσ4нмRMS (−3 дБ)
Время нарастанияtr0,52,0нс10-90%
Время спадаtf0,52,0нс90-10%
Ток мониторингаIm0,052мАVRM = 5В

Импульсный лазерный диод 1625 нм для оптического рефлектометра

Более детальная информация о продукте: PDF-файл.

Импульсный лазерный диод 1625 нм для оптического рефлектометра оснащен FP чипом высокой мощности с низким пороговым током. Он способен работать в двух режимах: импульсном и непрерывном. Многомодовое оптическое волокно – опционалльно. Помимо оптических рефлекторов импульсные лазерные диоды могут применяться в системах связи и тест-системах, разработанных на основе комбинационного рассеяния.

Технические характеристики

ПараметрОбозначениеМин. значениеСтандартное значениеМакс. значениеЕд. измеренияПримечание
Прямое напряжениеVFP3.0ВIFP = 400 мА, PW = 10 мкс, нагрузка = 1%
Пороговый токIth2035мА
Оптическая выходная мощность волокнаPf40мВтIFP =400 мА, PW = 10 мкс, нагрузка = 1%
Средняя длина волныλc162016251630нмIFP =400 мА, PW = 10 мкс, нагрузка = 1%
Ширина спектраσ4нмRMS (−3 дБ)
Время нарастанияtr0.52.0нс10-90%
Время спадаtf0.52.0нм90-10%
Ток мониторингаIm0.052мАVRM = 5В

Импульсный лазерный диод 1650 нм 30 мВт для оптического рефлектометра

Более детальная информация о продукте: PDF-файл.

Технические характеристики

ПараметрОбозначениеМин. значениеСтандартное значениеМакс. значениеЕд. измеренияПримечание
Прямое напряжениеVFP3,0ВIFP = 400 мА, PW = 10 мкс, нагрузка = 1%
Пороговый токIth2035мА
Оптическая выходная мощность волокнаPf30мВтIFP =400 мА, PW = 10 мкс, нагрузка = 1%
Средняя длина волныλC164516501655нмIFP =400 мА, PW = 10 мкс, нагрузка = 1%
Ширина спектраσ4нмRMS (−3 дБ)
Время нарастанияtr0,52,0нс10-90%
Время спадаtf0,52,0нм90-10%
Ток мониторингаIm0,052мАVRM = 5В

Лазерный диод DFB с волоконным выводом

Лазерный диод DFB (с распределенной обратной связью) с волоконным выводом разработан на основе FP лазера с добавлением фильтра с дифракционной решеткой, что позволяет работать в режиме генерации одной продольной моды. Лазерные диоды с распределенной обратной связью обладают такими достоинствами, как большая выходная мощность, малая расходимость луча, узкий спектр и высокая скорость модуляции. Они отлично подходят для систем междугородной связи, систем кабельного телевидения, сетей GSM или CDMA и других систем с аналоговой модуляцией.

Лазерный модуль с волоконным выводом включает чип MQW-DFB с длиной волны 1310 нм или 1550 нм, 4-х контактный разъем и вывод на одномодовое оптоволокно. Он поддерживает низкий рабочий ток и высокую выходную мощность между 1 и 10 мВт. Кроме того, он вырабатывает минимальный уровень шума при высокой линейной выходной мощности. Лазерный диод может быть оснащен коннектором типа SC/APC или FC/APC.

Лазерный диод DFB с волоконным выводом 1310 нм 1-4 мВт

Лазерный диод DFB с волоконным выводом 1310 нм 8-10 мВт

Лазерный диод DFB с волоконным выводом 1310 нм 1-4 мВт

Более детальная информация о продукте: PDF-файл.

Технические характеристики

ПараметрОбозначениеМин. значениеСтандартное значениеМакс. значениеЕд. измеренияУсловия испытания
Номинальная мощностьPo1-4мВтIth+20 мА
Дифференциальная эффективностьSE0,2мВт/мА
Пороговый токIth1015мА-
Прямое напряжениеVop-1,01,2ВНепрерывный режим, Ith+20 мА
Средняя длина волныλc130013101320нм-
Ширина спектра(-3 дБ)Δλ-0,51нмIth+20 мА
Коэффициент подавления побочных модSMSR35-дБ-
Полоса пропусканияBw2,5ГГц
Ток мониторингаIm100900мкАНепрерывный режим, Ith+20 мА
Темновой токId--100нА
Оптическая изоляция (одноступенчатая)ISO3540-дБ
Оптическая изоляция (двухступенчатая)ISO4550-дБ
Обратные потериRL-45дБ
Аналоговые характеристики
Относительная интенсивность шумаRIN--155-150дБ/Гц-
Неравномерность АЧХBF±1.5дБ
Искажение третьего порядкаIMD3--55-дБн
Отношение сигнал/шумCNR51--дБПримечание 1
Композитные искажения второго порядкаCSO---57дБн
Композитные тройные биенияCTB---65дБн

Лазерный диод DFB с волоконным выводом 1310 нм 1-4 мВт 8-10 мВт

Более детальная информация о продукте: PDF-файл.

Схема лазерного диода

Лазерный диод DFB с волоконным выводом 1550 нм 1-3 мВт

Лазерный диод DFB с волоконным выводом 1550 нм 6-8 мВт

Лазерный диод DFB с волоконным выводом 1550 нм 1-3 мВт

Более детальная информация о продукте: PDF-файл.

Технические характеристики

ПараметрОбозначениеМин. значениеСтандартное значениеМакс. значениеЕд. измеренияУсловия испытания
Номинальная мощностьPo6810мВтIth+40 мА
Дифференциальная эффективностьSE0,150,2мВт/мА
Пороговый токIth1015мА-
Рабочий токIop5070мА
Прямое напряжениеVop-1,01,2ВНепрерывный режим, Ith+40 мА
Средняя длина волныλc154015501560нм-
Ширина спектра(-3 дБ)Δλ-0,51нмIth+40 мА
Коэффициент подавления побочных модSMSR35-дБ-
Полоса пропусканияBw2,5ГГц
Ток мониторингаIm1001200мкАНепрерывный режим, Ith+40 мА
Темновой токId--100нА
Оптическая изоляция (одноступенчатая)ISO3540-дБ
Оптическая изоляция (двухступенчатая)ISO4550-дБ
Обратные потериRL-45дБ
Аналоговые характеристики
Относительная интенсивность шумаRIN--155-150дБ/Гц-
Неравномерность АЧХBF±1,5дБ
Искажение третьего порядкаIMD3--55-дБн
Отношение сигнал/шумCNR51--дБПримечание 1
Композитные искажения второго порядкаCSO---57дБн
Композитные тройные биенияCTB---65дБн

Лазерный диод DFB с волоконным выводом 1550 нм 6-8 мВт

Более детальная информация о продукте: PDF-файл.

Технические характеристики

ПараметрОбозначениеМин. значениеСтандартное значениеМакс. значениеЕд. измеренияУсловия испытания
Номинальная мощностьPo6810мВтIth+40 мА
Дифференциальная эффективностьSE0,150,2мВт/мА
Пороговый токIth1015мА-
Рабочий токIop5070мА
Прямое напряжениеVop-1,01,2ВНепрерывный режим, Ith+40 мА
Средняя длина волныλc154015501560нм-
Ширина спектра(-3 дБ)Δλ-0,51нмIth+40 мА
Коэффициент подавления побочных модSMSR35-дБ-
Полоса пропусканияBw2,5ГГц
Ток мониторингаIm1001200мкАНепрерывный режим, Ith+40 мА
Темновой токId--100нА
Оптическая изоляция (одноступенчатая)ISO3540-дБ
Оптическая изоляция (двухступенчатая)ISO4550-дБ
Обратные потериRL-45дБ
Аналоговые характеристики
Относительная интенсивность шумаRIN--155-150дБ/Гц-
Неравномерность АЧХBF±1.5дБ
Искажение третьего порядкаIMD3--55-дБн
Отношение сигнал/шумCNR51--дБПримечание 1
Композитные искажения второго порядкаCSO---57дБн
Композитные тройные биенияCTB---65дБн

Лазерные диоды из арсенида галлия-индия в корпусе «оптическая розетка» (предающие оптические сборки типа TOSA)

Красный лазерный диод 650 нм

Более детальная информация о продукте: PDF-файл.

Красный лазерный диод с длиной волны 650 нм установлен в корпус типа «оптическая розетка». Он использует чип с излучением красного цвета с длиной волны 635 или 650 нм и выходной мощностью от 1 до 20 мВт. Данное устройство может применяться в качестве волоконно-оптического светового индикатора, красной лазерной указки или индикатора контрольной точки. Кроме того, красные лазерные диоды нашли широкое применение в медицине.

Распиновка

Лазерный диод с волоконным выводом в корпусе «оптическая розетка» 1310-1550 нм 0,2-2 мВт

Более детальная информация о продукте: PDF-файл.

Лазерный диод с волоконным выводом в корпусе «оптическая розетка» оснащен резонатором Фабои-Перо, что гарантирует низкие пороговый и рабочий токи. Доступные виды разъемов: SC, ST или FC. Данное устройство обычно используется в ручных фонариках, настольных лампах, оптических мультиметрах и оборудовании для проверки связи.

Технические характеристики

ПараметрОбозначениеМин. значениеСтандартное значениеМакс. значениеЕд. измеренияУсловия испытания
Номинальная мощностьPo0.2-2мВтIth+20 мА
Пороговый токIth3-12мАНепрерывный режим
Падение напряжения в режиме прямого токаVop-1,11,5ВНепрерывный режим, Ith+20 мА
Средняя длина волныλc130013101320нм-
154015501560
Ширина спектра (-3 дБ)Δλ-0,30,5нмIth+20 мА
Полоса пропусканияBw1,252,5-ГцRI=50 Ом
Ток мониторингаIm100900мкАНепрерывный режим, Ith+20 мА
Темновой токId--100нАНепрерывный режим, Ith+20 мА
Оптическая изоляцияISO30--дБ25℃

Схема

Продукция II-VI Laser Enterprise

Одномодовые лазерные диоды с волоконным выходом:

Артикул Длина волны (нм) Мощность (CW) Особенности PDF
LC96A1060-20R 1060 400мВт 14-pin PDF
LC96A1070-20R 1060 400мВт 14-pin PDF
LC96A1064BBFBG-20R 1064 350мВт 14-pin, FBG PDF
LC96A1064NBFBG-20R 1064 350мВт 14-pin, FBG, узкополосный PDF
CM97A1064 1064 700мВт 10-pin PDF
CM97A1064BFBG 1064 600мВт 10-pin, FBG PDF
CM97A1064NFBG 1064 700мВт 10-pin, FBG, узкополосный PDF
CMDFB1064A 1064 200мВт 10-pin, DFB PDF
CMDFB1030A 1030 200мВт 10-pin, DFB PDF
CM97-1000-76PM 976 1 Вт 10-pin, DFB, FBG PDF

980 нм модули накачки:

Single-chip:

Артикул Охлаждение Мощность Особенности PDF
CM96Zxxx-74/76 Да 200-600 BTF 10-pin PDF
LC96Zxxx-74/76 Да 200-600 BTF 14-pin PDF
CML96Zxxx-74/76 Да 200-600 BTF 10-pin, низкое потребление PDF
LCL96Zxxx-74/76 Да 200-600 BTF 14-pin, низкое потребление PDF
CM97-xxx-74/76 Да 610-1000 BTF 10-pin PDF
LU96Zxxx-74/76 Нет 110-300 Mini-DIL 8-pin PDF
UM96Zxxx-74/76 Нет 310-500 BTF 10-pin PDF

Dual-chip:

Артикул Охлаждение Мощность Особенности PDF
DCL96xx74P-21R Да 400-600 BTF 14-pin PDF
DCL96xx74/76-10R Нет 200-500 BTF 10-pin PDF

Наша компания за годы работы стала крупным поставщиком электронного оборудования, который доставляет заказы в пределах страны. Профессионализм наших сотрудников позволяет решать разномасштабные задачи в работе как с крупными серийными производствами, так и с опытными конструкторскими бюро. Наша компания предлагает удобные формы оплаты заказа и различные способы его доставки. Одномодовые лазерные диоды, заказанные у нас — это гарантированно качественный товар.

Innolume GmbH (Innolume) (Германия) – разработчик и производитель лазерных диодов. Компания осуществляет полный цикл производства своей продукции на собственном заводе, используя собственные научные разработки.

Wuhan Shengshi Optical Communication Technology Co Ltd (Shengshi Optical) (Китай) – профессиональный производитель лазерных диодов и фотодиодов в Китае. Основными видами деятельности являются разработка, производство и продажа фотоэлектрических компонентов. Ассортимент продукции включает лазерные диоды с волоконным выводом в корпусе типа «бабочка», «оптическая розетка» или коаксиального типа, лавинные и pin-фотодиоды, лазерные диоды и фотодиоды из арсенида галлия-индия и т.д.

II-VI Laser Enterprise GmbH (II-VI Laser Enterprise) (Швейцария) - компания является ведущим мировым разработчиком и производителем одномодовых 980 нм лазеров накачки, высокомощных лазерных диодов и вертикально-излучающих лазеров (VCSEL). II-VI Laser Enterprise GmbH является дочерним предприятием II-VI Incorporated со штаб-кавртирой в Цюрихе, Швейцария.


<