Комплексные решения поставки электронных компонентов

Компоненты

Буклет ОЭС Спецпоставка, «Оптика и Фотоника», скачать

Компания «ОЭС Спецпоставка» осуществляет поставки фотодетекторов для различных применений:

Продукция Shengshi Optical

Shengshi Optical (КНР) –профессиональный производитель лазерных диодов и фотодиодов в Китае. Основными видами деятельности являются разработка, производство и продажа фотоэлектрических компонентов. Ассортимент продукции включает лазерные диоды с волоконным выводом в корпусе типа «бабочка», «оптическая розетка» или коаксиального типа, лавинные и pin-фотодиоды, лазерные диоды и фотодиоды из арсенида галлия-индия и т.д. Все этапы производства осуществляются в строгом соответствии с требованиями международного стандарта ISO9001. Доступны услуги OEM и ODM производства. Выпускаемая продукция отличается высокой скоростью модуляции, низкими пороговым и рабочим токами, а также большой выходной энергией. Она нашла применение в различных измерительных приборах, системах связи и тест-системах. Благодаря высокому качеству, стабильности и долговечности лазерные диоды и фотодиоды экспортируются во многие страны и регионы по всему миру, включая Северную и Южную Америки, Африку и Европу.

Фотодиоды с коаксиальным волоконным выводом

PIN-фотодиод из арсенида галлия-индия с коаксиальным волоконным выводом 3-10 Гбит/с, 1100-1650 нм

PIN-фотодиод из арсенида галлия-индия с коаксиальным волоконным выводом, скоростью передачи 3-10 Гбит/с и длиной волны 1100-1650 нм характеризуется минимальным потреблением энергии, низким темновым током, низкими обратными потерями, хорошей гибкостью, линейностью, компактным дизайном, небольшими размерами, высокой надежностью и долгим сроком службы. Он в основном применяется в приемниках для кабельного телевидения, приемниках оптического сигнала для аналоговых систем и детекторах уровня мощности.

Более детальная информация о продукте: PDF

Технические характеристики

Параметр Обозначение Мин. значение Стандартное значение Макс. значение Ед. измерения Условия испытания
Диапазон длины волн λ 1100 - 1650 нм -
Диапазон мощности P -70 - +6 дБ/мВт
Активный диаметр Ad 25 80 мкм -
Темновой ток Id - 0,2 0,5 нА
Спектральная светочувствительность R - 0,85 0,90 А/Вт λ=1310 нм
0,90 0,95 λ=1550 нм
Полоса пропускания частот Bw 1 10000 МГц
Частота отклика Fr - ±0,5 - дБ
Емкость Ct - 0,5 0,65 пФ -
Время отклика Tr 0,1 - нс -
Композитные искажения второго порядка CSO - -70 - дБн
Композитные искажения третьего порядка CTB - -80 - дБн

Лавинный фотодиод для оптических рефлектометров со скоростью 3 Гбит/с

Лавинный фотодиод (ЛФД) представляет собой фотодетектор с p-n переходом. Обычно изготавливается из кремния или германия. Под воздействием напряжения обратного смещения на p-n переход фотоны падающего света выбивают электроны, заставляя их проходить через переход, тем самым образуя фототок. Увеличение напряжения приводит к усилению фототока за счет лавинного умножения генерированных светом носителей заряда. Лавинный эффект используется для усиления фотоэлектрического сигнала в системе обнаружения с целью повышения чувствительности детектора.

Данный тип фотодиодов отличается малым темновым током, низким рабочим напряжением и высокой чувствительностью. Они могут работать в импульсном и непрерывном режиме. Лавинные фотодиоды нашли широкое применение в междугородних системах передачи связи, оптических рефлектометрах и тест-системах, разработанных на основе комбинационного рассеяния.

Лавинный фотодиод для оптических рефлектометров со скоростью 3 Гбит/с

Более детальная информация о продукте: PDF

Технические характеристики

Параметр Обозначение Мин. значение Стандартное значение Макс. значение Ед. измерения Примечание
Обратное напряжение пробоя VBR 40 45 55 В ID = 100 мкА
Температурный коэффициент обратного напряжение пробоя δ 0,2 %/°C
Темновой ток ID 5 25 нА VR = VBR x 0,9
Умноженный темновой ток IDM 1 3 нА M = от 2 до 10
Общая ёмкость Ct 0,35 пФ VR = VBR x 0,9, f = 1 МГц
Частота отсечки fC 2,5 ГГц M = 10
Квантовая эффективность η 76 90 % λ = 1310 нм, M = 1
65 77 λ = 1550 нм, M = 1
Спектральная светочувствительность S 0,85 0,90 А/Вт λ = 1310 нм, M = 1
0,90 0,95 λ = 1550 нм, M = 1
Коэффициент избыточного шума X 0,7 - λ = 1310 нм, IPO = 1,0 мкм, M = 10, f = 35 МГц, B = 1 МГц
F 5 λ = 1550 нм, IPO = 1,0 мкм, M = 10, f = 35 МГц, B = 1 МГц
Оптические потери на отражение ORL 30 40 дБ SMF

Фотодиоды из арсенида галлия-индия в корпусе «оптическая розетка» (приемные оптические сборки типа ROSA)

PIN-фотодиоды малой площади из арсенида галлия-индия 2-3 Гбит/с 1100-1650 нм.

PIN-фотодиод большой площади из арсенида галлия-индия для инструментов

Более детальная информация о продукте: PDF

PIN-фотодиод большой площади из арсенида галлия-индия для инструментов отличается большой длиной волны, малым темновым током, низким потреблением энергии, высокой чувствительностью, небольшими размерами и широким разнообразием конструкций. Возможность замены позволяет подключать большинство видов оптоволоконных коннекторов. Это намного упрощает использование и техобслуживание. Данная серия продукции в основном используется в приборах обнаружения мощности, ручных и настольных измерителях мощности, оптических мультиметрах.

Оптические и электрические характеристики

Параметр Обозначение Мин. значение Стандартное значение Макс. значение Ед. измерения Условия испытания
Диапазон длины волн λ 850 - 1700 нм -
Диапазон мощности P -70 - 6 дБ/мВт Vop=5В
-60 16
-50 26
-40 36
Темновой ток Id - - 1 нА 300 мкм
2 1000 мкм
5 2000 мкм
Спектральная светочувствительность R 0.85 - А/Вт λ=1310 нм
0.083 -
0.012 -
0.001 -
Точность - - - ±0.1 дБ -
Емкость Ct - - 25 пФ -
Время отклика Tr - - 10 нс -

PIN-фотодиод малой площади из арсенида галлия-индия 2-3 Гбит/с 1100-1650 нм

Более детальная информация о продукте: PDF

PIN-фотодиод малой площади характеризуется низким потреблением энергии, малым темновым током, высокой чувствительностью, хорошей линейностью и компактными размерами. Данное устройство обычно используется в приемниках кабельного телевидения, оборудовании для определения мощности и оптических приемниках сигнала для аналоговых систем.

Схема

Продукция Excelitas

Лавинные фотодиоды для промышленных и аналитических приложений

Кремниевые лавинные фотодиоды (ЛФД) предлагают наилучший компромисс с точки зрения стоимости и производительности для приложений, требующих высокой скорости и обнаружения фотонов с низким уровнем шума от 400 нм до 1100 нм. Они отличаются низким уровнем шума, высокой квантовой эффективностью и высоким коэффициентом усиления, сохраняя при этом достаточно низкое рабочее напряжение. Активная область может быть от 0,5 мм до 3 мм.

Лавинных фотодиодов для аналитических приложений

Кремниевые ЛФД большой площади и УФ ЛФД

Кремниевые лавинные фотодиоды серии C30739ECERH предназначены для использования в самых разнообразных приложениях, охватывающих спектральный диапазон от 400 до 700 нанометров. Они имеют низкий уровень шума, низкую емкость и высокий коэффициент усиления. Повышенная чувствительность к коротким длинам волн, с квантовой эффективностью 60% при длине волны 430 нм. Стандартный керамический корпус позволяет легко регулировать и соединять со сцинтиллирующими кристаллами, такими как LSO и BGO. Идеален для позитронно-эмиссионной томографии (ПЭТ).

PIN фотодиоды для промышленного применения

InGaAs и Si PIN диоды - квадрантные детекторы – для УФ излучения

Кремниевые PIN фотодиоды доступны с разнообразными активными областями для использования в разнообразных областях. Структура PIN обеспечивает высокую квантовую эффективность и быстрый отклик для обнаружения фотона в диапазоне от 400 нм до 1100 нм. Серия YAG предлагает исключительную характеристику 0,4 А / Вт при 1060 нм с использованием кремния. Точное позиционирование луча может быть достигнуто за счет использования квадрантных детекторов.

Также доступны и другие модели с различными характеристиками – Каталог Excelitas.

Наша компания за годы работы стала крупным поставщиком электронного оборудования, который доставляет заказы "ОЭС Спецпоставка". Выбирая своим поставщиком "ОЭС Спецпоставка", мы гарантируем, что Компоненты будут высокого качества, и мы своевременно доставим их Вам. Профессионализм наших сотрудников позволяет решать разномасштабные задачи в работе как с крупными серийными производствами, так и с опытными конструкторскими бюро.

Wuhan Shengshi Optical Communication Technology Co Ltd (Shengshi Optical) (Китай) – профессиональный производитель лазерных диодов и фотодиодов в Китае. Основными видами деятельности являются разработка, производство и продажа фотоэлектрических компонентов. Ассортимент продукции включает лазерные диоды с волоконным выводом в корпусе типа «бабочка», «оптическая розетка» или коаксиального типа, лавинные и pin-фотодиоды, лазерные диоды и фотодиоды из арсенида галлия-индия и т.д.

Excelitas Technologies Corp (Excelitas) (США) – производитель оптоэлектронных компонентов. Предлагает инновационную, адаптированную к требованиям пользователя оптоэлектронику и передовые электронные системы для ведущих OEM-производителей (изготовителей комплектного оборудования).