Комплексные решения поставки электронных компонентов

Производитель эпитаксиальных гетероструктур нитрида галлия NTT-AT

NTT Advanced Technology Corporation (NTT-AT) (Япония) – производитель эпитаксиальных гетероструктур нитрида галлия. Компания основана в 1976 году и сертифицирована по ISO9001, ISO14001, ISO27001.

Технологические возможности производителя:

Si Сапфир SiC GaN
50,8 – 152,4 мм 50,8 – 101,6 мм 50,8 – 101,6 мм 50,8 мм

Доступны структуры:

  • GaN на кремнии диаметром 101,6 мм и 50,8 мм;
  • AlGaN/GaN HEMT на кремнии 101,6 мм.

Преимущества использования GaN:

  • Высокая мощность;
  • Высокая частота;
  • Высокая энергоэффективность;
  • Низкое энергопотребление;
  • Высокотемпературная устойчивость.

Пример спецификации AlGaN/GaN HEMT эпитаксиальной структуры:

Внешний слой
Материал GaN
Легирование Легированный или нелегированный
Толщина 2 нм
Барьерный
Материал AlGaN
Содержание ~25 %
Толщина ~20 нм
Канал
Материал GaN
Толщина ~300 нм
Буфер
Легирование C
Толщина 1- 4 мкм

* Параметры могут меняться в зависимости от пожеланий заказчика.

Компания ОЭС «Спецпоставка» представляет весь спектр продукции NTT-AT на территории РФ и предлагает наиболее выгодные условия поставки продукции, полную техническую поддержку, а также поставку образцов. Получить дополнительную информацию вы можете на сайте производителя NTT-AT или обратившись в нашу компанию.