Производитель эпитаксиальных гетероструктур нитрида галлия NTT-AT
NTT Advanced Technology Corporation (NTT-AT) (Япония) – производитель эпитаксиальных гетероструктур нитрида галлия. Компания основана в 1976 году и сертифицирована по ISO9001, ISO14001, ISO27001.
Технологические возможности производителя:
| Si | Сапфир | SiC | GaN |
|---|---|---|---|
| 50,8 – 152,4 мм | 50,8 – 101,6 мм | 50,8 – 101,6 мм | 50,8 мм |
Доступны структуры:
- GaN на кремнии диаметром 101,6 мм и 50,8 мм;
- AlGaN/GaN HEMT на кремнии 101,6 мм.
Преимущества использования GaN:
- Высокая мощность;
- Высокая частота;
- Высокая энергоэффективность;
- Низкое энергопотребление;
- Высокотемпературная устойчивость.
Пример спецификации AlGaN/GaN HEMT эпитаксиальной структуры:
| Внешний слой | |
|---|---|
| Материал | GaN |
| Легирование | Легированный или нелегированный |
| Толщина | 2 нм |
| Барьерный | |
| Материал | AlGaN |
| Содержание | ~25 % |
| Толщина | ~20 нм |
| Канал | |
| Материал | GaN |
| Толщина | ~300 нм |
| Буфер | |
| Легирование | C |
| Толщина | 1- 4 мкм |
* Параметры могут меняться в зависимости от пожеланий заказчика.
Компания ОЭС «Спецпоставка» представляет весь спектр продукции NTT-AT на территории РФ и предлагает наиболее выгодные условия поставки продукции, полную техническую поддержку, а также поставку образцов. Получить дополнительную информацию вы можете на сайте производителя NTT-AT или обратившись в нашу компанию.
