Комплексные решения поставки электронных компонентов

Производитель SRAM и псевдо-SRAM памяти GSI Technology

Логотип компании GSI Technology

GSI Technology Inc (GSI Technology) (США) – лидер среди производителей SRAM и псевдо-SRAM памяти. Выпускает микросхемы самого большого объема и самой высокой рабочей частоты. Единственный производитель SRAM, который выпускает микросхемы в корпусе с содержанием свинца. Единственный производитель SRAM, который сам разрабатывает IP-контроллеры для управления микросхемой из ПЛИС и бесплатно отлаживает их под задачи клиентов на отладочных платах собственной разработки. Платы предоставляются заказчикам бесплатно на период до 90 дней.

Применение:

  • Высокопроизводительные вычислительные платы;
  • Видео обработка;
  • Суперкомпьютеры;
  • Линейные карты для телекоммуникационного и сервисного оборудования;
  • Измерительное оборудование с обработкой данных в реальном времени;
  • Рентген оборудование, инфракрасное оборудование.

Продукция

Асинхронная SRAM

От 1 Мбит до 9 Мбит, архитектура x4/8/16/24/36, питание 3.3 В, задержка 7/8/10/12 нс, корпуса 119-BGA, TSOP-II, 6x10мм FPBGA, 6x8мм FPBGA, индустриального и коммерческого исполнения.

Синхронная SRAM

Синхронная SRAM (NBT, Burst, SigmaQuad-II/II+/III/IV, SigmaDDR-II/II+/III/IV) - выполнена на 6 транзисторах по технологии CMOS с максимальным объемом 288 Мбит. Семейства SigmaQuad-III и SigmaQuad-IV обладают самой высокой производительностью и минимальной задержкой на рынке.

Псевдо-SRAM (Low Latency DRAM)

Псевдо-SRAM (LLDRAM-II) - 8-банковая архитектура DRAM памяти со встроенным контроллером перезаряда ячеек. Внешний интерфейс, как у обычной SRAM. В отличие от много-банковой DRAM адресация происходит за один цикл, что позволяет уменьшить время доступа (tRC) до 15 нс (для примера, у DRAM DDR3 tRC=~40 нс). Микросхемы выпускаются объемом 288 Мбит и 576 Мбит. LLDRAM-II является полным аналогом (функциональным и физическим) RLDRAM-II производства Micron и Renesas.

Радиационно-стойкая SRAM

SigmaQuad-II+ 288 Мбит, рабочая частота до 350 МГц, архитектура х18 и х36, опция согласования сопротивления (On-Die Termination), 200 кРад, 80 МэВ, керамический 165-ССGA корпус, рабочий диапазон температур –55…+125 °C. - NBT и Burst 144/72/36 Мбит, x18/36, до 333 МГц, 300 кРад, 80 МэВ, керамический 100-TQFP корпус, –55…+125 °C. Все радиационно-стойкие микросхемы изготавливаются по технологии 40 нм и сертифицированы по стандартам QML-Q и QML-V. Микросхемы поставляются в РФ без лицензий.

Компания ОЭС «Спецпоставка» представляет весь спектр продукции GSI Technology на территории РФ и предлагает наиболее выгодные условия поставки продукции, полную техническую поддержку, а также поставку образцов. Получить дополнительную информацию вы можете на сайте производителя GSI Technology или обратившись в нашу компанию.